压阻效应用于制作各种压力、应力、应变、速度、加速度传感器,将力学量转换成电信号,它是由C.S.Smith于1954年在硅和锗的电阻率和应力变化特性测试中发现的,例如,在与上述N型硅相同的条件下,N型锗的压阻系数分别为11=5.210-11m2/N12=5.510-11m2/N。1、传感器原理:应变效应和压阻效应的相同点和不同点?!?!?压阻原理不同于应变片原理——所谓压阻效应,是指当半导体受到应力时,由于载流子迁移率的变化,其电阻率发生变化的现象。它是由C.S.Smith于1954年在硅和锗的电阻率和应力...
更新时间:2024-11-25标签: 传感器厚度0.01mm检测厚度检测传感器0.01mm 全文阅读