压阻效应用于制作各种压力、应力、应变、速度、加速度传感器，将力学量转换成电信号,它是由C.S.Smith于1954年在硅和锗的电阻率和应力变化特性测试中发现的,例如，在与上述N型硅相同的条件下，N型锗的压阻系数分别为11=5.210-11m2/N12=5.510-11m2/N。
1、 传感器原理:应变效应和压阻效应的相同点和不同点?!?!?压阻原理不同于应变片原理——所谓压阻效应，是指当半导体受到应力时，由于载流子迁移率的变化，其电阻率发生变化的现象。它是由C.S. Smith于1954年在硅和锗的电阻率和应力变化特性测试中发现的。压阻效应的强弱可以用压阻系数来表征。压阻系数定义为单位应力下电阻率的相对变化。压阻效应具有各向异性的特点，在不同方向施加应力和不同方向通过电流时，其电阻率变化会有所不同。
此外，不同半导体材料的压阻系数也不同。例如，在与上述N型硅相同的条件下，N型锗的压阻系数分别为11=5.210-11m2/N12=5.510-11m2/N。压阻效应用于制作各种压力、应力、应变、速度、加速度传感器，将力学量转换成电信号。比如压阻式加速度传感器就是集成在其腔体中硅梁根部的压阻式电桥，其排列方式与电桥类似。压阻桥的一端固定在传感器的底座上，另一端挂有质量块。
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