磁阻传感器及其应用实验报告,坡莫合金磁阻传感器
如果在传感器的敏感轴方向施加超过1010-4T的磁场，将会扰乱传感器的内磁畴的极化方向，从而改变传感器的输出特性,HMC1021z磁阻传感器一维磁阻细长Pomo制成的微电路集成芯片合金,传感器当被强磁场感应时，对应的磁阻材料会出现磁畴饱和现象，很难通过外加磁场改变磁阻材料的电阻，因此传感器的灵敏度会降低。1、磁通门测磁场时为什么需要振荡器的输入铁磁性物质放置在磁阻传感器附近会干扰地磁场的大小，甚至干扰当地地磁场的方向，使测量结果异常。人们可以用这个来探测铁矿石。影响在于传感器与指甲大小的距离，指甲传感器与...
更新时间：2024-06-14标签： 磁阻传感器合金实验报告坡莫合金磁阻传感器 全文阅读