磁传感器电阻元件主要用于构造位移传感器、转速传感器、位置传感器、速度传感器。在室温下，有很多种巨磁巨磁电阻材料，如多层膜巨磁，氧化物型巨磁 电阻材料、隧道结型磁性电阻材料等，外磁场引起的某些磁性材料的电阻巨大变化(称为巨磁-1/效应)是磁电子学中的一个重要内容。
1、谁知道什么叫“ 巨磁阻”效应吗?我知道。巨磁电阻(GMR)效应又叫特大磁电阻，庞磁电阻，等等。其MR(磁电阻)可高达10.6%！巨磁电阻效应是指由铁磁和非铁磁金属层组成的材料在足够强的磁场中电阻突然急剧下降的现象。特别值得注意的是，如果相邻材料中的磁化方向平行，则电阻将变得非常低；当磁化方向相反时，电阻会变得很大。
巨磁自从电阻效应被发现以来，它就被用来开发一种小型灵敏的硬盘数据读取头。这大大减少了存储单字节数据所需的磁性材料的大小，从而大大提高了磁盘的存储容量。第一个商业化生产的数据读取探头由IBM于1997年投放市场。至今，巨磁电阻技术已经成为世界上几乎所有电脑、数码相机、MP3播放器的标准技术。
2、... 巨磁 电阻薄膜,高温超导薄膜等在测量时要使用哪款 传感器?如何测量...这取决于你测量的是什么。如果是厚度，建议你用ZM100 传感器，非常适合测量这样的薄膜。我接触过的所有测量都是光学测量。比如可以利用迈克尔逊干涉仪的原理。如果是测量膜厚，可以试试ZTMS08测厚仪。你是要测量厚度还是什么？如果是厚度，用ZM100 传感器来测量是个不错的选择。它采用激光三角测量技术在线测量厚度，由计算机控制扫描机构获得厚度实时测量值和厚度与测点位置的分布曲线。
3、 巨磁阻效应实验原理Hello，巨磁电阻效应的原理是由一个外部磁场引起的电阻的变化，称为磁电阻效应。无论磁场是平行还是垂直于电流方向，都会产生磁电阻效应。前者(平行)称为纵向磁场效应，后者(垂直)称为横向磁场效应。一般铁磁材料的磁性电阻比值(-1/磁场引起的变化与电阻无磁场的变化之比)在室温下小于8%，在低温下可提高到10%以上。实用磁性电阻材料主要有镍铁和钴磁性合金。
4、什么是磁 电阻效应?什么是 巨磁阻效应?具体如下:1。磁电阻效应是指给带电的金属或半导体施加磁场时电阻值的变化。它的全称是磁性电阻变化效果。磁电阻效应可表示为有磁场和无磁场时公式(1)△ρ中电阻率的变化；(2) 电阻率当ρ 0没有磁场时；(3) 电阻率当ρ b有磁场时。在大多数金属中电阻比值的变化值为正，而过渡金属和准金属合金以及饱和磁体的电阻比值的变化值为负。
利用磁电阻效应，我们可以制作磁敏电阻元件，其常用材料有锑化铟、砷化铟等。磁传感器电阻元件主要用于构造位移传感器、转速传感器、位置传感器、速度传感器。为了提高灵敏度和增加电阻，磁敏电阻元件可以按一定形状(直线或圆环)串联。2.所谓巨磁电阻效应，是指当施加外磁场时，磁性材料的电阻比与不施加磁场时相比发生较大变化的现象。巨磁电阻是一种量子力学效应，由层状磁性薄膜结构产生。
5、什么是 巨磁 电阻效应?所谓巨磁 电阻效应，是指一种材料在外磁场作用下，其电阻比值与无外磁场作用时相比发生显著变化的现象。一般定义为GMR= =其中(H)为电阻磁场作用下材料的速率H (0)是指电阻无外磁场作用下材料的速率。外磁场引起的某些磁性材料的电阻巨大变化(称为巨磁-1/效应)是磁电子学中的一个重要内容。在室温下，有很多种巨磁巨磁电阻材料，如多层膜巨磁。氧化物型巨磁 电阻材料、隧道结型磁性电阻材料等。
6、 巨磁 电阻的发现应用1988年，法国巴黎大学Kent教授的研究团队首次发现了Fe/Cr多层膜中的巨磁 电阻效应，在国际上引起巨大反响。20世纪90年代，人们在具有纳米结构的多层膜中观察到了显著的电阻效应，如Fe/Cu、Fe/Al、Fe/Au、Co/Cu、Co/Ag和Co/Au。因为电阻多层膜具有高密度读取头和磁存储元件。
7、什么叫做磁阻效应?霍耳 传感器为何有磁阻效应1。磁阻效应的定义:指某些金属或半导体的电阻值随外磁场的变化而变化的现象。金属或半导体的载流子在磁场中运动时，受到电磁场变化引起的洛伦兹力，产生磁阻效应。2.Hall 传感器它将霍尔元件固定在弹性敏感元件上，在压力的作用下，霍尔元件随着弹性敏感元件的变形而在磁场中发生位移，从而输出与压力有一定关系的电信号。
扩展信息:磁阻效应的应用:1。磁阻效应广泛应用于磁传感、磁强计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆检测、GPS导航、仪器仪表、磁存储(磁卡、硬盘)等领域，2.磁阻器件因其灵敏度高、抗干扰能力强而广泛应用于工业、交通运输、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域，如数字罗盘、交通车辆检测、导航系统、假币检测、位置测量等。
