传感器回顾亮点:第一章总结1。P6过载能力:传感器在不永久改变规定性能指标的情况下超出其测量范围的能力。灵敏度:指传感器输出的变化y与引起这种变化的输入的变化x之比，k = y/x .灵敏度误差:rs=K0/K0100%。一般来说，灵敏度越高越好，因为灵敏度越高，传感器能感知到的变化越小，也就是测得的变化很小，而传感器的输出更大。
动态特性指标:多选4P9静态校准系统的关键在于被测非电量的标准发生器和标准测试系统。5P10动态校准的目的是检查test 传感器的动态性能指标。目前，6P11传感检测系统正从模拟数字向智能化快速发展。第二章位移检测传感器1P16变极距电容位移传感器电容C与极板间距呈双曲线或反比关系。2.P19电容栅电容传感器量程大，测量范围宽。选择题3。P21为了提高自感应位移传感器的精度和灵敏度，增加特性的线性度，实际使用的传感器大多做成差动式。
5、 传感器常识性问题1的应用。传感器我就说说压电效应，光电效应1。压电效应压电效应可分为正压电效应和逆压电效应。正压电效应是指当晶体受到固定方向的外力时，内部发生极化现象，同时在两个表面产生符号相反的电荷。当外力撤除后，晶体回到不带电荷的状态。当外力方向改变时，电荷的极性也随之改变，晶体产生的电荷量与外力的大小成正比。压电传感器多由正压电效应制成。
用逆压电效应制成的发射器可用于电声和超声工程。压电传感元件的应力变形有五种基本形式:厚度变形、长度变形、体积变形、厚度剪切和平面剪切，如图所示。压电晶体是各向异性的，并不是所有的晶体都能在这五种状态下产生压电效应。例如，应时晶体没有体积变形压电效应，但具有良好的厚度变形和长度变形压电效应。一种根据电介质压电效应发展起来的传感器称为压电传感器2。光电效应1概括了金属表面在光照射作用下发射电子的效应，发射出的电子称为光电子。
6、大学物理实验磁阻 传感器的特性测量思考题 答案变磁阻式传感器将位移、转速、加速度等非电物理量转换成变磁阻传感器。包括电感传感器变压器传感器和涡流传感器，变磁阻转速传感器它属于变磁阻型传感器。变磁阻式传感器、感应式传感器变压器式传感器、涡流式传感器三种基本类型可制成转速传感器，感应速度传感器应用广泛。它利用磁通量的变化产生感应电势，其电势取决于磁通量变化的速度，这种传感器根据结构不同可分为开磁路型和闭磁路型。
