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一般所谓磁阻是指在一定磁场下，材料电阻率发生变化的现象。通常，磁场引起的电阻率变化记为，其中和分别代表磁场H和无磁场时的电阻率。磁阻的大小常表示为，其中可以是或，MR是磁电阻的缩写。大部分非磁性导体的MR很小，大概在10-5%，磁性导体的MR最大为3%到5%。电阻率的变化与导体中磁场方向和电流方向的夹角有关，即具有各向异性，称为各向异性磁阻AMR。
所有智能手机的磁性传感器在屏幕右上角。魅蓝手机传感器的磁性位于屏幕右上角的电源键。磁性传感器广泛应用于现代工业和电子产品中，通过感应磁场的强度来测量电流位置和方向等物理参数。在现有技术中，有许多不同类型的传感器用于测量磁场和其他参数，如霍尔元件、各向异性磁阻、AMR元件或巨磁阻，GMR元件是磁性的传感器是一种敏感元件。
4、磁 传感器的发展历程magnetic 传感器的发展在70年代达到了高潮。90年代是这些发达磁体的成熟完善期传感器，集成电路技术应用。硅集成电路技术应用于磁学传感器始于1967年，霍尼韦尔公司mi 2 cross switch分公司的科技人员将Si霍尔芯片及其信号处理电路集成在一片芯片上，做出了一个开关电路，第一个将磁传感器集成在一片芯片上。已经有许多种功能集成磁路，例如磁阻电路和巨磁阻电路。
