错误的原因太多了。温度漂移、失调、压摆率、增益带宽积、摆幅等。输出电压UO和差模输入电压UID = U-U 之间的关系称为开环差模传输特性。曲线显示运算放大器有两个工作区域:-2/区域的阴影部分和非-2/区域两侧的区域。Uo = aodu-u ，即输出电压与输入电压的关系为线性。因为Uomax有限，而一般运算放大器的开环电压放大倍数Aod很大，所以线性区域很小。
5、 磁阻效应的数据拟合。。。急!!锑化铟 磁阻 传感器在弱磁场和强磁场是的...基于磁阻测试曲线。我测量GMR。GMR在测量弱磁场方面非常有效。当磁场足够强时，就会饱和。0-60mT，磁阻与100-400mT的场强的平方成正比，磁阻与线性relationship磁阻= r/r，r = r-r .实验的结果是通过分析它们之间的关系，找到一条能更好地拟合数据之间关系的曲线。通过曲线拟合，这条曲线的方程就是它们之间的关系。
6、磁电式 传感器的原理结构磁电传感器有时也称为电或电感传感器，它只适用于动态测量。由于其输出功率大，匹配电路简单稳定，其逆变换效应可用于构成力发生器和电磁激励器。根据电磁感应定律，当W匝线圈在恒定磁场中运动时，如果通过线圈的磁通量为0，线圈中的感应电势E与磁通量变化率d/dt有如下关系。根据这一原理，可以设计成变磁通型和恒磁通型两种结构类型，形成磁电型传感器，用于测量线速度或角速度。
变磁通结构:旋转变磁平移式可变气隙，其中永磁体1和线圈4是固定的，动铁芯3的运动改变气隙5和磁路磁阻，引起磁通的变化，在线圈中产生感应电势，所以也叫可变磁阻结构。在永磁磁通结构中，工作气隙中的磁通是恒定的，感应电势是由永磁体和线圈的相对运动引起的——线圈切割磁力线。这样的结构有两种，如下图所示。永磁磁通结构动圈动铁图中的磁路系统由圆柱形永磁体、极掌圆柱形磁轭和气隙组成。
7、锑化铟 磁阻 传感器在弱磁场中电阻值与磁感应强度的关系和在强磁场中...当材料处于磁场中时，导体或半导体中的载流子会受到洛仑兹力的偏转，导致两端电荷积累，产生霍尔电场。如果霍尔电场和载流子在某一速度下的洛仑兹力正好抵消，那么小于或大于这个速度的载流子就会发生偏转，那么沿外加电场方向运动的载流子数量就会减少，电阻就会增大，呈现横向磁阻效应。如果图1中的ab端短路，霍尔电场就不存在了，所有的电子都会偏转到A端，磁阻的效果更明显。
实验表明，当金属或半导体处于弱磁场中时，磁阻-1/电阻的相对变化率R/R0与磁感应强度b的平方成正比，而在强磁场中，R/R0与磁感应强度b的关系为线性。磁阻 传感器的上述特性在物理学和电子学中有重要的应用，如果半导体材料磁阻 传感器处于角频率为2的弱正弦波交流磁场中，则磁阻 传感器的电阻R将随角频率2呈周期性变化，因为磁阻R/R0的相对变化与B2成正比。
