两大图像传感器技术Image传感器按其工艺技术主要可分为两大阵营:CCD电荷耦合器件和CMOS互补金属氧化物半导体。前者在20世纪70年代被索尼商业化。目前全球CCD 技术和市场主要由日本公司控制。CMOS image 传感器虽然在上世纪80年代就发明了，但由于当时技术技术较低，并不容易商业化。直到近几年技术技术逐渐完善，产品才开始投入市场应用。image 传感器的应用市场主要有相机、手机、录像机、DSC安防监控系统、PCCamera、互动玩具、光电鼠标等。但由于各种应用产品对图像传感器的要求不同，CCD和CMOS image 传感器在不同的应用领域各有特长。
6、CMOS 图像 传感器的简介CMOS-1传感器chip上可集成其他数字信号处理电路，如AD转换器自动曝光控制、非均匀补偿、白平衡处理、黑电平控制和伽马校正等。为了快速计算，具有可编程功能的DSP器件甚至可以与CMOS器件集成在一起，构成单片数码相机和-。1963年，Morrison发表了computable 传感器，这是一种利用光导效应可以确定光点位置的结构，成为CMOS-1传感器发展的开端。
CMOS 图像 传感器具有以下优点:1。随机窗口阅读能力。随机窗口读取操作是CMOS 图像 传感器在功能上优于CCD的一个方面，也称为感兴趣区域选择。此外，CMOS 图像 传感器的高集成度特性使得同时打开多个跟踪窗口变得非常容易。2抗辐射。总的来说，CMOS 图像 传感器相比CCD性能在抗辐射方面有重要的增强。3系统的复杂性和可靠性。使用CMOS 图像 传感器可以大大简化系统硬件结构。
7、 图像 传感器的CMOSCMOS 传感器采用通用半导体电路中最常用的CMOS工艺，具有高集成度、低功耗、高速、低成本的特点，近年来在宽动态低照度方面发展迅速。CMOS是互补金属氧化物半导体，主要由硅和锗构成，其基本功能是通过CMOS上带负电荷和带正电荷的晶体管来实现的。由这两种互补效应产生的电流可以被处理芯片记录并解释为图像。在模拟摄像机和标清网络摄像机中，CCD应用最为广泛，长期占据市场主导地位。
8、CCD 图像 传感器和Cmos 图像 传感器的特点CMOS和CCD的区别:1。在成像过程中，CCD和CMOS 图像 传感器的光电转换原理是一样的，它们的主要区别在于信号读取过程不同。由于CCD只有一个或几个输出节点进行统一读取，其信号输出一致性非常好，在CMOS芯片中，每个像素都有自己的信号放大器，分别执行。但CCD为了读取整个图像信号，要求输出放大器的信号带宽较宽，而在CMOS芯片中，每个像素中放大器的带宽要求较低，大大降低了芯片的功耗，这也是CMOS芯片功耗低于CCD的主要原因。
